單元紅外探測(cè)器載流子輸運(yùn)機(jī)理/國(guó)防科技大學(xué)建校70周年系列著作
定 價(jià)：108 元
叢書名：國(guó)防科技大學(xué)建校70周年系列著作
- 作者：邱偉成，程湘愛(ài)，胡偉達(dá)著
- 出版時(shí)間：2023/8/1
- ISBN：9787567306172
- 出 版 社：國(guó)防科技大學(xué)出版社
- 中圖法分類：TN362
- 頁(yè)碼：225
- 紙張：
- 版次：1
- 開本：16開
本書介紹了紅外探測(cè)領(lǐng)域的基本概念、研究進(jìn)展和發(fā)展趨勢(shì)。全書旨在為從事紅外探測(cè)器設(shè)計(jì)以及應(yīng)用的科研人員，深入介紹本領(lǐng)域的專業(yè)基礎(chǔ)、分析方法、技術(shù)進(jìn)展和發(fā)展趨勢(shì)，為新型紅外焦平面器件的研發(fā)提供一定的基礎(chǔ)理論指導(dǎo)和技術(shù)支持。
第1章 紅外探測(cè)技術(shù)發(fā)展的基本內(nèi)涵
1.1 紅外探測(cè)技術(shù)簡(jiǎn)介
1.2 紅外探測(cè)器的研究背景
1.2.1 紅外材料的基本性質(zhì)
1.2.2 紅外探測(cè)器的研究現(xiàn)狀
1.3 紅外探測(cè)技術(shù)的發(fā)展前沿
1.3.1 掃描激光束誘導(dǎo)電流檢測(cè)法
1.3.2 紅外雪崩探測(cè)技術(shù)
1.3.3 長(zhǎng)波及高溫工作紅外探測(cè)技術(shù)
1.4 紅外探測(cè)載流子輸運(yùn)主要內(nèi)容和基本框架
1.4.1 主要內(nèi)容
1.4.2 基本框架
1.5 本章小結(jié)
參考文獻(xiàn)
第2章 紅外探測(cè)器的基本理論與模擬仿真方法
2.1 紅外探測(cè)器漏電流的基本理論
2.1.1 擴(kuò)散電流
2.1.2 產(chǎn)生-復(fù)合電流
2.1.3 隧穿電流
2.1.4 碰撞激化電離電流
2.1.5 表面漏電流
2.2 器件仿真模型及方法
2.2.1 解析模型方法
2.2.2 數(shù)值仿真方法
2.2.3 解析與數(shù)值模型聯(lián)合仿真方法
2.3 本章小結(jié)
參考文獻(xiàn)
第3章 基于解析模型的紅外探測(cè)器暗電流特性分析
3.1 基于解析模型提取特征參數(shù)的基本方法
3.2 長(zhǎng)波 HgCdTe 紅外探測(cè)器變溫暗電流特性
3.3 中波 HgCdTe 紅外探測(cè)器退火暗電流特性
3.4 Si 基 HgCdTe 紅外探測(cè)器暗電流特性
3.5 As 摻雜 HgCdTe 紅外探測(cè)器暗電流特性
3.6 本章小結(jié)
參考文獻(xiàn)
第4章 紅外探測(cè)器的激光束誘導(dǎo)電流譜表征方法
4.1 LBIC的基本原理
4.2 高精度LBIC平臺(tái)的搭建方法
4.3 LBIC的物理模型和數(shù)值仿真
4.4 LBIC對(duì)紅外器件特征參數(shù)的表征
4.4.1 LBIC提取結(jié)區(qū)深度和長(zhǎng)度
4.4.2 LBIC提取少子擴(kuò)散長(zhǎng)度
4.4.3 結(jié)區(qū)局域漏電表征
4.4.4 掃描光電流譜表征二維材料納米器件
4.5 LBIC對(duì)HgCdTe光伏器件性能的表征和研究
4.5.1 離子注入成結(jié)的中波HgCdTe光伏器件研究
4.5.2 脈沖激光打孔成結(jié)的HgCdTe光伏器件研究
4.6 本章小結(jié)
參考文獻(xiàn)
第5章 紅外電子雪崩器件的載流子輸運(yùn)與雪崩機(jī)制研究
5.1 HgCdTe電子雪崩器件的基本原理、理論模擬和結(jié)構(gòu)優(yōu)化
5.1.1 基本原理
5.1.2 理論模擬和結(jié)構(gòu)優(yōu)化
5.2 平面p-i-n型HgCdTe雪崩器件實(shí)驗(yàn)結(jié)果和分析
5.2.1 實(shí)驗(yàn)結(jié)果
5.2.2 結(jié)果分析
5.3 InGaAs/InP短波紅外雪崩器件暗電流機(jī)制與光電響應(yīng)特性
5.3.1 器件結(jié)構(gòu)和物理模型
5.3.2 SAGCM型InGaAs/InP雪崩器件主導(dǎo)暗電流機(jī)制
5.3.3 結(jié)構(gòu)參數(shù)對(duì)SAGCM型器件貫穿和擊穿電壓的影響
5.3.4 p-i-n型InP/InGaAs/InP雪崩器件光響應(yīng)特性研究
5.4 新型金屬-絕緣體 -金屬結(jié)構(gòu)雪崩紅外探測(cè)技術(shù)
5.5 本章小結(jié)
參考文獻(xiàn)
第6章 基于能帶工程的高性能長(zhǎng)波HgCdTe器件研究
6.1 長(zhǎng)波 HgCdTe器件的研究背景
6.2 長(zhǎng)波 HgCdTe器件的電學(xué)特性與微觀機(jī)理研究
6.2.1 變溫和變面積的電學(xué)特性測(cè)試及分析
6.2.2 長(zhǎng)波陣列器件的表面漏電與非均勻性研究
6.3 基于能帶工程PBπn型長(zhǎng)波器件的設(shè)計(jì)和機(jī)理研究
6.3.1 PBπn型長(zhǎng)波器件的設(shè)計(jì)與仿真方法
6.3.2 理論模擬與實(shí)驗(yàn)結(jié)果討論
6.4 本章小結(jié)
參考文獻(xiàn)
第7章 表面等離子體激元場(chǎng)增強(qiáng)和高溫工作紅外探測(cè)技術(shù)
7.1 表面等離子體激元場(chǎng)增強(qiáng)紅外光吸收
7.1.1 表面等離子體激元簡(jiǎn)介
7.1.2 金屬光柵表面等離子體激元場(chǎng)增強(qiáng)紅外探測(cè)技術(shù)
7.2 高溫工作紅外探測(cè)器研究
7.2.1 高溫工作紅外探測(cè)器簡(jiǎn)介
7.2.2 InAsSb/InGaAs nBn型高溫紅外探測(cè)器
7.2.3 HgCdTe NBvN型高溫紅外探測(cè)器
7.2.4 量子級(jí)聯(lián)紅外探測(cè)器
7.2.5 基于二維材料的室溫紅外探測(cè)器
7.3 本章小結(jié)
參考文獻(xiàn)
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