1993年出現(xiàn)的世界上只氨化鎵高電子遷移率晶體管，揭開了氨化鎵技術(shù)發(fā)展的序幕入21世紀(jì)以來，氨化鎵率器件發(fā)展極為迅速，無論是其材料、器件、工藝，還是可靠性等均有顯著提升，目前已廣泛應(yīng)用于新一代移動通信、新型雷達(dá)等領(lǐng)域。

氨化鎵器件被認(rèn)為是第三代半導(dǎo)體器件的典型代表。相比硅材料，氨化鎵材料具有更大的禁帶寬度，因而氮化鎵器件在工作電壓、工作電流、耐受溫度、抗輻射能力等方面均有顯著優(yōu)勢，這使得氨化鎵器件不僅可以應(yīng)用于常規(guī)率領(lǐng)域，甚至在某些環(huán)境下也有不可或缺的作用。

作者團(tuán)隊自世紀(jì)90年始氮化鎵領(lǐng)域的核心技術(shù)研究，是國內(nèi)早開展相關(guān)研究的團(tuán)隊之一。團(tuán)隊先后在氮化鎵率器件相關(guān)的材料設(shè)計與生長技術(shù)、器件結(jié)構(gòu)與工藝、射頻器件建模等領(lǐng)行深入研究，并取得了一系列創(chuàng)新性成果。作者結(jié)合本研究團(tuán)來的研究成果，編撰了此書，主要針對氮化鎵率器件相關(guān)的材料、器件、工藝、設(shè)計等關(guān)鍵技術(shù)展開深入討論。本書共6章

第1章主要介紹了氮化鎵率器件的優(yōu)勢，并就相關(guān)材料、器件等方面的國內(nèi)外主要研行了簡要介紹。

第2章主要介紹了氮化鎵材料的典型生長技術(shù)括MOCVD生長技術(shù)、磁控濺射AlN基板生長GaN薄膜技術(shù)、微納球掩膜部分接觸式橫向外延過生長技術(shù)、斜切襯底上N面GaN材料生長技術(shù)。此外，本章還介紹了InGaN溝道異質(zhì)結(jié)。

第3章主要介紹了氮化鎵率器件的相關(guān)內(nèi)容，具括器件的直流參數(shù)及測量、氨化鎵基器件制備工藝、微率器件、毫米波器件熱分析與熱設(shè)計等。

第4章主要介紹了本研究團(tuán)隊在氮化鎵器件工藝方面的成果，具括刻蝕形貌控制技術(shù)、界面等離子體處理技術(shù)、新型表面鈍化技術(shù)、圖形化歐姆接觸技術(shù)等。

第5章主要介紹了氮化鎵率器件建模的相關(guān)內(nèi)容，具括典型微波參數(shù)及物理意義、小信號建模、大信號建率放大器的實現(xiàn)方法等。

第6章主要探討了一些新型氨化鎵率器件，具括GaN基Fin HEMT器件、氨化鎵高線性器件、全刻蝕凹槽型MOSHEMT器件、類存儲型型器件以及鐵電介質(zhì)柵型器件等。

本書由馬曉華持編撰，馬曉華、鄭雪峰、成參與撰寫并對全行了統(tǒng)稿及審定。本書在編撰過程中，得到了楊凌、祝杰杰、盧陽、張雅超、侯斌、宓珉瀚、王沖、武玫、朱青、何云龍、趙子越、張潦、許晟瑞，陸小力、王穎哲等的大力支持和幫助，在此表示誠摯的感謝!由于作者水平有限，書中難免存在不足之處，懇請讀者指正。

作者

22年10月