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InAs/AlSb異質(zhì)結(jié)型射頻場效應(yīng)晶體管技術(shù)
本書共七章,內(nèi)容包括緒論、InAs/AlSb異質(zhì)結(jié)外延材料特性及工藝、InAs/AlSbHEMTs器件特性及工藝、InAs/AlSbMOS-HEMTs基礎(chǔ)研究、InAs/AlSbHEMTs器件模型、InAs/AlSbHEMTs低噪聲放大器設(shè)計以及總結(jié)和展望。
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