第一章 半導(dǎo)體器件的物理基礎(chǔ)
半導(dǎo)體的特性
1.1.1 晶體的結(jié)構(gòu)
1.1.2 半導(dǎo)體在電性能上的獨(dú)特性質(zhì)
電子能級(jí)和能帶
1.2.1 電子的共有化運(yùn)動(dòng)
1.2.2 晶體中的能帶
半導(dǎo)體中的載流子
1.3.1 電子密度和空穴密度表達(dá)式
1.3.2 載流子密度與費(fèi)密能級(jí)位置的關(guān)系
雜質(zhì)半導(dǎo)體
1.4.1 兩種不同導(dǎo)電類型的半導(dǎo)體
1.4.2 雜質(zhì)半導(dǎo)體
非平衡載流子
1.5.1 非平衡載流子的產(chǎn)生和復(fù)合
1.5.2 非平衡載流子的壽命
1.5.3 復(fù)合中心
載流子的運(yùn)動(dòng)
1.6.1 載流子的漂移運(yùn)動(dòng)J
1.6.2 載流子的擴(kuò)散運(yùn)動(dòng)
參考文獻(xiàn)
習(xí)題

第二章 p-n結(jié)
平衡P-n結(jié)
2.1.1 空間電荷區(qū)和接觸電位差
2.1.2 空間電荷區(qū)的電場(chǎng)和電勢(shì)分布
p-n結(jié)的直流特性
2.2.1 加偏~,p-n結(jié)的能帶圖及載流子和電流分布
2.2.2 p-n結(jié)的伏安特性？
2.2.3 勢(shì)壘區(qū)的復(fù)合和大注入對(duì)正向伏安特性的影響
2.2.4 勢(shì)壘區(qū)的反向產(chǎn)生電流
p-n結(jié)電容
2.3.1 突變結(jié)勢(shì)壘電容
2.3.2 線性緩變結(jié)勢(shì)壘電容
2.3.3 擴(kuò)散結(jié)的勢(shì)壘電容
2.3.4 p-n結(jié)的擴(kuò)散電容
p-n結(jié)擊穿
2.4.1 電擊穿
2.4.2 熱擊穿
參考文獻(xiàn)
習(xí)題

第三章 晶體管的直流特性
概述
3.1.1 晶體管的基本結(jié)構(gòu)
3.1.2 晶體管的放大作用
3.1.3 晶體管內(nèi)載流子的傳輸及電流放大系數(shù)
3.1.4 晶體管的輸入和輸出特性
均勻基區(qū)晶體管的直流特性和電流增益
3.2.1 均勻基區(qū)晶體管直流特性的理論分
3.2.2 均勻基區(qū)晶體管的短路電流放大系數(shù)
漂移晶體管的直流特性和電流增益
3.3.1 漂移晶體管的直流特性
3.3.2 漂移晶體管的電流增益
晶體管的反向電流和擊穿電壓
3.4.1 晶體管的反向電流
3.4.2 晶體管的擊穿電IN
晶體管的基極電阻
3.5.1 梳狀晶體管的基極電阻
3.5.2 圓形晶體管的基極電阻
晶體管的小信號(hào)等效電路
參考文獻(xiàn)
習(xí)題
……
第四章 晶體管的頻率特性和功率特性
第五章 晶體管的開(kāi)關(guān)特性
第六章 半導(dǎo)體表面特性及MOS電容
第七章 MOS場(chǎng)效應(yīng)晶體管的基本特性
第八章 半導(dǎo)體功率器件
第十章 多柵MOS場(chǎng)效應(yīng)管
第十一章 不揮發(fā)存儲(chǔ)器基礎(chǔ)
第十二章 金屬一半導(dǎo)體接觸和肖特基勢(shì)壘器件