目 錄
第一部分 半導(dǎo)體制造基礎(chǔ)
第1章 可持續(xù)性的半導(dǎo)體制造——物聯(lián)網(wǎng)及人工智能的核心 2
1.1 引言 2
1.2 摩爾定律 2
1.2.1 FinFET擴(kuò)展了摩爾定律 3
1.3 集成電路與設(shè)計(jì) 3
1.4 微芯片的制造方法 4
1.4.1 晶圓制造 5
1.4.2 前道工序處理 5
1.4.3 后道工序處理 8
1.5 先進(jìn)技術(shù) 9
1.5.1 IoT、IIoT和CPS 9
1.5.2 物聯(lián)網(wǎng)要素系統(tǒng)或組織結(jié)構(gòu) 9
1.5.3 物聯(lián)網(wǎng)生態(tài)系統(tǒng)或使用者 10
1.5.4 物聯(lián)網(wǎng)分類系統(tǒng)或合作伙伴 10
1.6 數(shù)據(jù)分析與人工智能 10
1.7 半導(dǎo)體的可持續(xù)性 11
1.8 結(jié)論 12
1.9 參考文獻(xiàn) 13
1.10 擴(kuò)展閱讀 15
第2章 納米技術(shù)和納米制造：從硅基到新型碳基材料及其他材料 17
2.1 引言 17
2.2 什么是納米技術(shù) 17
2.3 為什么納米技術(shù)如此重要 17
2.4 納米技術(shù)簡(jiǎn)史 18
2.5 納米尺度制造的基本方法 19
2.6 納米計(jì)量技術(shù) 24
2.7 納米技術(shù)制造 25
2.8 應(yīng)用和市場(chǎng) 25
2.9 影響力和管理 26
2.10 結(jié)論 26
2.11 參考文獻(xiàn) 27
2.12 擴(kuò)展閱讀 31
第3章 FinFET的基本原理和納米尺度硅化物的新進(jìn)展 32
3.1 引言 32
3.2 FinFET的基本原理 32
3.3 納米尺度硅化物的新進(jìn)展 35
3.3.1 引言 35
3.3.2 納米尺度FinFET的硅化物接觸技術(shù) 36
3.3.3 Si納米線中硅化物的外延生長(zhǎng) 42
3.4 結(jié)論 51
3.5 參考文獻(xiàn) 51
第4章 微機(jī)電系統(tǒng)制造基礎(chǔ)：物聯(lián)網(wǎng)新興技術(shù) 54
4.1 微機(jī)電系統(tǒng)和微系統(tǒng)技術(shù)的定義 54
4.2 微系統(tǒng)技術(shù)的重要性 54
4.3 微系統(tǒng)技術(shù)基礎(chǔ) 55
4.3.1 微傳感器技術(shù) 55
4.3.2 微驅(qū)動(dòng)器技術(shù) 56
4.3.3 用于微系統(tǒng)的材料 57
4.3.4 MEMS的設(shè)計(jì)工具 58
4.4 MEMS制造原理 58
4.4.1 前段微機(jī)械制造工藝 58
4.5 展望 67
4.6 結(jié)論 68
4.7 參考文獻(xiàn) 68
4.8 擴(kuò)展閱讀 70
第5章 高性能、低功耗、高可靠性三維集成電路的物理設(shè)計(jì) 71
5.1 引言 71
5.1.1 晶體管縮小的根本限制因素 71
5.1.2 導(dǎo)線互連的延遲和功耗的上升 72
5.1.3 什么是三維芯片 72
5.2 三維芯片的設(shè)計(jì)流程 73
5.3 三維芯片的物理設(shè)計(jì)面臨的挑戰(zhàn) 73
5.3.1 三維布局問題 73
5.3.2 三維時(shí)鐘樹 74
5.3.3 三維熱管理 74
5.3.4 三維電源管理 74
5.3.5 三維芯片的可靠性問題 75
5.4 三維芯片的物理設(shè)計(jì)方案 76
5.4.1 三維布局算法 76
5.4.2 三維時(shí)鐘樹綜合 76
5.4.3 三維芯片的散熱方案 77
5.4.4 三維芯片的電源網(wǎng)絡(luò)設(shè)計(jì) 77
5.4.5 三維電路的可靠性預(yù)測(cè)和優(yōu)化 78
5.5 結(jié)論和展望 78
5.6 參考文獻(xiàn) 79
第二部分 前 道 工 序
第6章 外延生長(zhǎng) 84
6.1 引言 84
6.1.1 外延生長(zhǎng)基礎(chǔ) 84
6.1.2 生長(zhǎng)技術(shù)和設(shè)備 85
6.1.3 分子束外延 85
6.1.4 化學(xué)氣相沉積 87
6.1.5 化合物半導(dǎo)體的MOCVD工藝 88
6.1.6 外延工藝：概述 88
6.1.7 氮化鎵(GaN)的MOCVD工藝 91
6.1.8 GaN外延層材料的表征和分析 93
6.1.9 外延制造 96
6.1.10 管理程序 96
6.2 安全和環(huán)境健康 97
6.3 展望 97
6.4 結(jié)論 98
6.5 參考文獻(xiàn) 98
6.6 擴(kuò)展閱讀 99
第7章 熱處理工藝——退火、RTP及氧化 100
7.1 引言 100
7.2 熱處理 100
7.2.1 熱輸運(yùn) 100
7.2.2 退火 103
7.2.3 擴(kuò)散 103
7.2.4 致密/回流 104
7.2.5 硅化物 105
7.2.6 鈍化 105
7.2.7 缺陷 105
7.3 快速熱處理 106
7.3.1 RTP裝置 106
7.3.2 輻射性 107
7.3.3 加工效應(yīng) 107
7.4 氧化 107
7.4.1 硅蝕坑 109
7.4.2 SiO2薄膜質(zhì)量 109
7.4.3 濕氧氧化方法 109
7.4.4 激子氧化 109
7.4.5 缺陷 110
7.5 制造要點(diǎn) 111
7.5.1 擁有成本 111
7.5.2 統(tǒng)計(jì)過程控制 111
7.5.3 良率 112
7.6 結(jié)論 112
7.7 致謝 112
7.8 參考文獻(xiàn) 113
7.9 擴(kuò)展閱讀 114
第8章 光刻工藝 115
8.1 光刻工藝 115
8.1.1 襯底準(zhǔn)備 115
8.1.2 光刻膠旋涂 116
8.1.3 涂膠后烘烤 116
8.1.4 對(duì)準(zhǔn)和曝光 117
8.1.5 曝光后烘烤 118
8.1.6 顯影 119
8.2 光學(xué)光刻中圖像的形成 119
8.2.1 衍射 120
8.2.2 成像 121
8.2.3 部分相干性 122
8.2.4 像差與失焦 123
8.2.5 浸沒式光刻 124
8.3 光刻膠化學(xué) 125
8.3.1 曝光反應(yīng)動(dòng)力學(xué) 125
8.3.2 化學(xué)增強(qiáng)膠 125
8.3.3 溶解 127
8.4 線寬控制 129
8.5 套刻控制 131
8.6 光學(xué)光刻的限制 131
8.7 擴(kuò)展閱讀 134
第9章 刻蝕工藝 135
9.1 引言 135
9.2 濕法刻蝕 136
9.2.1 硅的各向同性濕法刻蝕 136
9.2.2 硅的各向異性濕法刻蝕 137
9.2.3 氧化硅和氮化硅的濕法刻蝕 138
9.2.4 金屬薄膜濕法刻蝕 138
9.3 干法刻蝕 138
9.3.1 基本等離子刻蝕系統(tǒng) 138
9.3.2 等離子體刻蝕機(jī)制 140
9.3.3 干法刻蝕系統(tǒng) 141
9.3.4 與干法刻蝕有關(guān)的問題 143
9.3.5 硅、氧化硅和氮化硅的干法刻蝕 144
9.3.6 III-V族半導(dǎo)體的刻蝕 145
9.3.7 其他材料的刻蝕 145
9.4 結(jié)論 146
9.5 致謝 146
9.6 參考文獻(xiàn) 146
9.7 擴(kuò)展閱讀 147
第10章 離子注入 148
10.1 綜述 148
10.1.1 離子注入定義 148
10.1.2 歷史 148
10.1.3 離子注入設(shè)備基本部件 148
10.2 現(xiàn)代離子注入設(shè)備綜述 149
10.2.1 大束流注入機(jī) 150
10.2.2 中束流注入機(jī) 150
10.2.3 高能注入機(jī) 151
10.3 離子注入應(yīng)用 152
10.3.1 應(yīng)用范圍 152
10.3.2 工藝挑戰(zhàn)和測(cè)量 154
10.4 展望 154
10.5 參考文獻(xiàn) 155
第11章 物理氣相沉積 158
11.1 使用動(dòng)機(jī)和關(guān)鍵屬性 158
11.2 PVD工藝的基本原理 158
11.3 真空蒸發(fā) 159
11.4 蒸發(fā)設(shè)備 161
11.4.1 余弦定律 162
11.5 蒸發(fā)沉積層及其性質(zhì) 162
11.6 濺射 163
11.6.1 定義 163
11.6.2 原理 164
11.6.3 薄膜的微觀結(jié)構(gòu)與力學(xué)性能 164
11.7 濺射設(shè)備 165
11.7.1 直流濺射 166
11.7.2 高頻/射頻濺射 167
11.7.3 自偏壓效應(yīng) 167
11.7.4 偏壓濺射 167
11.7.5 反應(yīng)濺射 168
11.7.6 磁控濺射 169
11.7.7 濺射系統(tǒng)的布局和部件 169
11.8 濺射沉積層 171
11.8.1 臺(tái)階覆蓋 171
11.8.2 脈沖激光沉積 172
11.8.3 結(jié)論和展望 173
11.9 參考文獻(xiàn) 173
第12章 化學(xué)氣相沉積 174
12.1 引言 174
12.1.1 同相成核和異相成核 174
12.1.2 各種類型的CVD 175
12.1.3 結(jié)論 178
12.2 發(fā)展歷程 178
12.2.1 硅基微電子和其他領(lǐng)域中的CVD應(yīng)用 178
12.2.2 其他材料 179
12.3 保形CVD薄膜及無空隙填充 179
12.3.1 基本問題 179
12.3.2 臺(tái)階覆蓋率 180
12.3.3 表面反應(yīng)概率β 181
12.4 熱力學(xué)和動(dòng)力學(xué)分析 181
12.4.1 熱力學(xué)機(jī)制 181
12.4.2 動(dòng)力學(xué)機(jī)制 182
12.5 展望未來：新興電子材料 182
12.5.1 二維材料 182
12.5.2 氧化物和氮化物薄膜 183
12.5.3 結(jié)論 184
12.6 參考文獻(xiàn) 184
第13章 原子層沉積 191
13.1 引言 191
13.1.1 ALD的基本原理 192
13.2 ALD的主要商業(yè)應(yīng)用 192
13.3 ALD在前沿半導(dǎo)體制造中的應(yīng)用 193
13.4 ALD的發(fā)展過程 193
13.4.1 建立溫度窗口 193
13.4.2 確保足夠的反應(yīng)物輸運(yùn)到表面 193
13.4.3 確保對(duì)反應(yīng)區(qū)域進(jìn)行充分的吹掃或抽離 194
13.5 選擇合適的ALD前驅(qū)體和反應(yīng)物 194
13.6 硬件和流程的創(chuàng)新以提高ALD的生長(zhǎng)速率 195
13.7 ALD過程中等離子體的應(yīng)用 195
13.8 ALD過程中的硬件要求 196
13.9 原子層化學(xué)沉積的逆向過程：原子層刻蝕 196
13.10 參考文獻(xiàn) 196
13.11 擴(kuò)展閱讀 197
第14章 電化學(xué)沉積 198
14.1 引言 198
14.2 ECD的基本原理 198
14.2.1 電解沉積 198
14.2.2 無電沉積 200
14.3 電化學(xué)沉積的應(yīng)用 201
14.3.1 銅互連 201
14.3.2 硅通孔 202
14.3.3 透膜電鍍 203
14.3.4 無電沉積 204
14.4 展望 205
14.5 結(jié)論 205
14.6 參考文獻(xiàn) 206
第15章 化學(xué)機(jī)械拋光基礎(chǔ) 207
15.1 引言 207
15.2 如何理解化學(xué)機(jī)械拋光基礎(chǔ)的重要性 207
15.3 化學(xué)機(jī)械拋光的誕生 208
15.4 拋光和平坦化 209
15.5 化學(xué)機(jī)械拋光工藝流程 209
15.6 化學(xué)機(jī)械拋光工藝原理 210
15.7 化學(xué)機(jī)械拋光耗材 211
15.7.1 拋光液 211
15.7.2 拋光墊 214
15.7.3 拋光墊調(diào)節(jié)器 215
15.8 化學(xué)機(jī)械拋光與互連 216
15.9 化學(xué)機(jī)械拋光后道清洗 217
15.9.1 過濾器 218
15.9.2 工藝設(shè)備 218
15.10 結(jié)論 219
15.11 致謝 219
15.12 參考文獻(xiàn) 219
第16章 AFM計(jì)量 222
16.1 引言 222
16.2 計(jì)量：基礎(chǔ)和原理 223
16.2.1 測(cè)量系統(tǒng)的性能指標(biāo) 223
16.2.2 新的測(cè)量系統(tǒng)指標(biāo)和Fleet測(cè)量不確定度 224
16.2.3 混合計(jì)量 224
16.3 AFM技術(shù)與基礎(chǔ) 225
16.3.1 AFM掃描儀 225
16.3.2 形貌成像掃描模式 225
16.3.3 其他掃描模式 227
16.4 用于線上計(jì)量的自動(dòng)化AFM 227
16.4.1 用于CD計(jì)量的CD-AFM 229
16.4.2 原子力輪廓儀 229
16.4.3 自動(dòng)缺陷審查 230
16.4.4 用于掩模制造的線上AFM 231
16.5 維護(hù)和校準(zhǔn) 231
16.6 結(jié)論 232
16.7 參考文獻(xiàn) 232
16.8 擴(kuò)展閱讀 235
第三部分 后 道 工 序
第17章 晶圓減薄和芯片切割 238
17.1 引言 238
17.2 減薄技術(shù)概要：研磨 238
17.2.1 研磨磨輪 239
17.2.2 研磨點(diǎn) 239
17.2.3 工藝質(zhì)量 239
17.3 減薄工藝和設(shè)備 240
17.3.1 研磨部分 240
17.3.2 使用在線測(cè)量?jī)x來控制厚度 240
17.3.3 清洗 240
17.4 減薄技術(shù)、應(yīng)力釋放和其他要求 241
17.4.1 晶圓減薄 241
17.4.2 應(yīng)力釋放 241
17.4.3 吸雜 242
17.4.4 非接觸式測(cè)量 242
17.4.5 在線系統(tǒng) 243
17.4.6 晶圓支撐系統(tǒng) 243
17.4.7 TAIKO工藝 243
17.5 分割技術(shù)概論及刀片切割 243
17.5.1 切割刀片 244
17.5.2 刀片切割的工藝要點(diǎn) 244
17.5.3 切割質(zhì)量 244
17.6 分割工藝和設(shè)備 245
17.6.1 切割機(jī)類型 245
17.6.2 全自動(dòng)切割機(jī)的基本功能 245
17.6.3 雙軸系統(tǒng)的應(yīng)用 246
17.7 激光技術(shù) 247
17.7.1 激光燒蝕 247
17.7.2 低介電常數(shù)開槽 247
17.7.3 激光全切割 247
17.7.4 隱形切割 248
17.7.5 激光切割的潛在應(yīng)用 248
17.8 先切割后研磨(DBG)和先隱形切割后研磨(SDBG) 249
17.8.1 先切割后研磨 249
17.8.2 先隱形切割后研磨 249
17.9 基于TSV的三維集成 250
17.9.1 三維集成的優(yōu)勢(shì) 250
17.9.2 工藝集成 250
17.9.3 減薄的相關(guān)主題：邊緣修整、自動(dòng)總厚度變化檢測(cè)和高水準(zhǔn)清洗 251
17.9.4 TSV晶圓的分割方法 252
17.9.5 晶圓減薄對(duì)元器件特性的影響 253
17.10 參考文獻(xiàn) 254
第18章 封裝 256
18.1 引言 256
18.1.1 電子封裝與組裝基礎(chǔ) 256
18.1.2 電子封裝預(yù)測(cè) 260
18.1.3 電子封裝行業(yè) 263
18.2 封裝技術(shù) 263
18.2.1 周圍陣列和面陣列封裝 264
18.2.2 芯片尺寸封裝 265
18.2.3 晶圓級(jí)封裝 265
18.2.4 埋置技術(shù) 265
18.2.5 更高集成度的封裝 267
18.3 晶圓級(jí)凸點(diǎn)和再布線技術(shù) 269
18.3.1 工藝技術(shù) 269
18.3.2 晶圓級(jí)凸點(diǎn)設(shè)備 280
18.3.3 材料 287
18.4 案例分析 292
18.4.1 僅含再布線的WLP(Biotronik、Micro System Engineering、Fraunhofer IZM) 292
18.4.2 高密度多芯片模塊封裝像素探測(cè)器系統(tǒng)(ATLAS聯(lián)盟) 293
18.4.3 SAW的芯片尺寸封裝 294
18.4.4 圖像傳感器的晶圓級(jí)封裝 295
18.5 光電子器件和MEMS的封裝 296
18.6 參考文獻(xiàn) 297
18.7 擴(kuò)展閱讀 300
第19章 鍵合的基本原理 301
19.1 引言 301
19.1.1 發(fā)展歷史與現(xiàn)狀 301
19.1.2 不同類型的引線鍵合工藝 301
19.2 引線鍵合設(shè)備 303
19.2.1 引線鍵合機(jī)的子系統(tǒng) 303
19.2.2 引線鍵合機(jī)系統(tǒng)的性能 305
19.3 引線鍵合過程 307
19.3.1 形成自由空氣球的過程 307
19.3.2 第一鍵合工藝 308
19.3.3 第二鍵合工藝 310
19.3.4 焊環(huán)工藝 311
19.4 結(jié)論和展望 313
19.5 參考文獻(xiàn) 313
第20章 互連的可靠性 315
20.1 引言 315
20.1.1 基礎(chǔ)概念 315
20.1.2 要求和標(biāo)準(zhǔn) 315
20.2 電遷移 316
20.3 應(yīng)力遷移 318
20.4 介質(zhì)擊穿 319
20.5 結(jié)論 320
20.6 參考文獻(xiàn) 321
20.7 擴(kuò)展閱讀 324
第21章 自動(dòng)測(cè)試設(shè)備 325
21.1 自動(dòng)測(cè)試設(shè)備簡(jiǎn)介 325
21.2 ATE歷史 327
21.2.1 ATE分類 330
21.3 數(shù)字測(cè)試儀 330
21.3.1 數(shù)字測(cè)試 330
21.3.2 功能、結(jié)構(gòu)和基于缺陷的測(cè)試 331
21.3.3 高速數(shù)字測(cè)試 332
21.3.4 確定性與非確定性行為 332
21.3.5 數(shù)字測(cè)試的基本設(shè)置 333
21.3.6 基于協(xié)議的測(cè)試 333
21.4 線性測(cè)試儀 333
21.4.1 線性器件測(cè)試 333
21.4.2 線性器件測(cè)試儀 333
21.4.3 線性器件測(cè)試的基本設(shè)置 334
21.5 混合信號(hào)測(cè)試儀 334
21.5.1 混合信號(hào)器件的基本模塊 334
21.6 存儲(chǔ)器測(cè)試儀 335
21.6.1 存儲(chǔ)器測(cè)試 335
21.6.2 存儲(chǔ)器測(cè)試的基本設(shè)置 336
21.7 閃存測(cè)試儀 336
21.7.1 閃存測(cè)試 336
21.7.2 閃存測(cè)試的基本設(shè)置(典型測(cè)試) 337
21.7.3 典型的生產(chǎn)測(cè)試流程 337
21.7.4 閃存測(cè)試面對(duì)的問題 337
21.7.5 閃存的發(fā)展趨勢(shì) 338
21.8 RF測(cè)試儀 338
21.8.1 RF器件測(cè)試 338
21.8.2 RF的構(gòu)建模塊 338
21.8.3 系統(tǒng)級(jí)測(cè)試 339
21.9 SoC測(cè)試儀 339
21.9.1 SoC器件 339
21.9.2 SoC測(cè)試 340
21.9.3 SoC測(cè)試結(jié)構(gòu) 341
21.10 老化測(cè)試儀 341
21.11 設(shè)計(jì)診斷設(shè)備 342
21.12 ATE市場(chǎng)規(guī)模 342
21.13 ATE的結(jié)構(gòu) 343
21.13.1 數(shù)字測(cè)試儀的結(jié)構(gòu) 344
21.13.2 線性器件測(cè)試儀的結(jié)構(gòu) 346
21.13.3 混合信號(hào)測(cè)試儀的結(jié)構(gòu) 346
21.13.4 存儲(chǔ)器測(cè)試儀的結(jié)構(gòu) 348
21.14 閃存測(cè)試儀的結(jié)構(gòu) 349
21.15 RF測(cè)試儀的結(jié)構(gòu) 350
21.16 SoC測(cè)試儀的結(jié)構(gòu) 350
21.17 DFT測(cè)試方法 351
21.18 基于云的DFT測(cè)試儀的出現(xiàn) 352
21.19 ATE規(guī)格 353
21.20 ATE的數(shù)據(jù)格式 354
21.21 制造商和ATE模型 355
21.21.1 Teradyne公司 355
21.21.2 Advantest公司 356
21.21.3 Xcerra公司 356
21.21.4 UniTest公司 356
21.21.5 FEI公司 357
21.21.6 Chroma ATE公司 357
21.21.7 National Instruments公司 357
21.21.8 SPEA公司 357
21.21.9 Aehr Test Systems公司 357
21.21.10 Micro Control公司 358
21.22 未來ATE的發(fā)展方向 358
21.22.1 測(cè)試成本 358
21.22.2 替代的測(cè)試方法(Dfx/BIST/SLT) 359
21.22.3 功率和熱管理 360
21.22.4 MEMS和傳感器測(cè)試 360
21.23 致謝 360
21.24 擴(kuò)展閱讀 360
第四部分 柔性技術(shù)、復(fù)合電子和大面積電子
第22章 印刷電子器件：原理、材料、工藝及應(yīng)用 364
22.1 印刷電子器件簡(jiǎn)介 364
22.2 印刷電子器件：原理及基礎(chǔ) 364
22.3 用于印刷電子器件的材料 366
22.4 印刷電子器件的制造工藝 367
22.4.1 絲網(wǎng)印刷 367
22.4.2 凹版印刷 367
22.4.3 噴墨印刷 368
22.4.4 氣溶膠噴墨印刷 368
22.5 主要挑戰(zhàn)和潛在解決方案 369
22.6 應(yīng)用案例 370
22.6.1 互連 370
22.6.2 有機(jī)發(fā)光二極管 371
22.6.3 超高頻射頻識(shí)別 372
22.7 結(jié)論 373
22.8 參考文獻(xiàn) 373
第23章 柔性復(fù)合電子器件 376
23.1 引言 376
23.2 什么是柔性復(fù)合電子器件 376
23.3 為什么需要柔性復(fù)合電子器件 377
23.4 如何制造柔性復(fù)合電子器件 378
23.5 結(jié)論和展望 381
23.6 參考文獻(xiàn) 381
第24章 柔性電子器件 383
24.1 柔性電子器件的應(yīng)用 383
24.1.1 柔性顯示 383
24.1.2 柔性太陽能電池 383
24.1.3 柔性傳感器 383
24.1.4 柔性晶體管和CMOS電路 383
24.2 柔性電路的關(guān)鍵材料 384
24.2.1 基底材料 384
24.2.2 有機(jī)半導(dǎo)體及介電材料 385
24.2.3 二維材料 386
24.2.4 柔性導(dǎo)電材料 386
24.3 柔性電路制造技術(shù) 387
24.4 結(jié)論和展望 388
24.5 參考文獻(xiàn) 388
24.6 擴(kuò)展閱讀 390
第25章 射頻印刷電子：物聯(lián)網(wǎng)和智能皮膚應(yīng)用的通信、傳感和能量收集 391
25.1 引言 391
25.2 印刷工藝和材料 391
25.2.1 噴墨印刷 391
25.2.2 3D打印 392
25.3 印刷射頻電路的應(yīng)用 392
25.3.1 天線 393
25.3.2 傳感平臺(tái) 394
25.3.3 能量收集系統(tǒng) 398
25.4 結(jié)論 399
25.5 參考文獻(xiàn) 399
第26章 納米電子器件和功率電子器件的印刷制造 401
26.1 引言 401
26.2 納米定向組裝和轉(zhuǎn)移 401
26.3 在功率電子器件中的應(yīng)用 403
26.3.1 印刷高性能邏輯電路 403
26.3.2 印刷功率電子器件的三維互連 405
26.4 參考文獻(xiàn) 405
第27章 柔性電子中的三維互連 409
27.1 引言 409
27.2 納米定向組裝技術(shù) 409
27.3 三維互連制造工藝 410
27.4 材料特性 412
27.5 電學(xué)特性 412
27.6 工藝適用范圍 413
27.7 與其他技術(shù)的比較 413
27.8 參考文獻(xiàn) 414
第28章 噴墨印刷觸摸傳感器材料 416
28.1 引言 416
28.2 材料和工藝優(yōu)化 417
28.3 加成工藝參數(shù) 422
28.3.1 溫度 422
28.3.2 墨滴間距 422
28.3.3 預(yù)處理 423
28.3.4 黏度和波形編輯 423
28.4 觸摸屏顯示器 425
28.4.1 觸摸傳感器的布局 425
28.4.2 觸摸傳感器印刷材料 425
28.4.3 觸摸傳感器的印刷過程 426
28.4.4 觸摸傳感器的電容性能 426
28.5 結(jié)論 430
28.6 致謝 430
28.7 參考文獻(xiàn) 430
28.8 擴(kuò)展閱讀 431
第29章 平板與柔性顯示器技術(shù) 432
29.1 引言 432
29.2 顯示器技術(shù)相關(guān)術(shù)語的定義 432
29.3 顯示器技術(shù)的基礎(chǔ)與原理 434
29.3.1 顯示質(zhì)量 434
29.3.2 顯示器的基本結(jié)構(gòu)和特征 435
29.3.3 各種顯示器技術(shù)的比較 439
29.4 顯示器的制造工藝 441
29.4.1 薄膜工藝 441
29.4.2 厚膜工藝 441
29.4.3 顯示單元形成工藝 441
29.4.4 老化和測(cè)試工藝 441
29.5 未來趨勢(shì)和結(jié)論 442
29.5.1 技術(shù)趨勢(shì) 442
29.5.2 應(yīng)用趨勢(shì) 443
29.5.3 結(jié)論 443
29.6 擴(kuò)展閱讀 444
第30章 光伏基礎(chǔ)知識(shí)、制造、安裝和運(yùn)營(yíng) 445
30.1 引言 445
30.1.1 太陽能的概念 445
30.1.2 為何選擇太陽能 445
30.1.3 全球太陽能市場(chǎng)概況 445
30.2 光伏發(fā)電的基本原理 446
30.2.1 光伏產(chǎn)品的基本概念 446
30.2.2 如何制作太陽能電池 448
30.2.3 太陽能電池板的制造 451
30.2.4 太陽能電池板的類型 453
30.3 光伏電站 454
30.3.1 如何設(shè)計(jì)太陽能系統(tǒng) 454
30.3.2 設(shè)計(jì)軟件和工具 454
30.3.3 建設(shè)太陽能系統(tǒng) 455
30.3.4 安裝太陽能系統(tǒng) 455
30.4 維護(hù)和操作 456
30.4.1 工廠維護(hù) 456
30.4.2 大型光伏電站的高級(jí)維護(hù)和運(yùn)行 457
30.5 光伏發(fā)電的未來前景 458
30.6 參考文獻(xiàn) 458
第五部分 氣體與化學(xué)品
第31章 氣體供應(yīng)系統(tǒng) 460
31.1 引言 460
31.2 氣體供應(yīng)系統(tǒng)設(shè)計(jì)原則 462
31.2.1 無泄漏系統(tǒng) 464
31.2.2 無死區(qū)系統(tǒng) 465
31.2.3 無顆粒系統(tǒng) 466
31.2.4 水分作為雜質(zhì)的特殊性質(zhì) 466
31.2.5 表面鈍化 468
31.2.6 流體力學(xué) 469
31.2.7 機(jī)臺(tái)連接閥布局 469
31.3 材料 470
31.3.1 管道 470
31.3.2 閥門 472
31.3.3 機(jī)械連接 473
31.3.4 過濾器 474
31.3.5 單向閥 474
31.4 安裝規(guī)范 474
31.4.1 安全 475
31.4.2 質(zhì)量保證 475
31.4.3 材料的儲(chǔ)存和處理 475
31.4.4 部件安裝 475
31.4.5 吹掃和焊接氣體 476
31.4.6 管道焊接準(zhǔn)備 476
31.4.7 管道焊接 476
31.4.8 焊接的評(píng)估標(biāo)準(zhǔn) 476
31.4.9 驗(yàn)證標(biāo)準(zhǔn) 476
31.5 質(zhì)量保證 476
31.6 驗(yàn)證 477
31.6.1 氦檢測(cè)試 478
31.6.2 水/氧分析 479
31.6.3 顆粒物測(cè)試 479
31.7 驗(yàn)收/調(diào)試 480
31.8 機(jī)臺(tái)連接 480
31.9 系統(tǒng)運(yùn)行和維護(hù) 481
31.10 參考文獻(xiàn) 481
31.11 擴(kuò)展閱讀 481
第32章 超純水的基本原理 483
32.1 引言 483
32.1.1 超純水系統(tǒng) 483
32.1.2 超純水的質(zhì)量規(guī)格 484
32.1.3 原水來源 486
32.2 超純水制備 487
32.2.1 預(yù)處理 487
32.2.2 一次處理系統(tǒng) 488
32.2.3 拋光回路 488
32.3 超純水分配系統(tǒng) 489
32.4 分析方法與技術(shù) 490
32.4.1 在線分析測(cè)量部分 490
32.5 超純水應(yīng)用于半導(dǎo)體行業(yè)所面臨的挑戰(zhàn) 494
32.5.1 質(zhì)量方面 494
32.5.2 產(chǎn)能方面 497
32.5.3 用水管理方面 498
32.6 如何獲得高質(zhì)量超純水的一些建議 498
32.7 致謝 499
32.8 參考文獻(xiàn) 499
第33章 工藝化學(xué)品的使用和處置 501
33.1 引言 501
33.2 重大化學(xué)危害術(shù)語和符號(hào) 501
33.2.1 安全數(shù)據(jù)表(SDS) 502
33.2.2 國(guó)際危險(xiǎn)性標(biāo)識(shí) 503
33.2.3 美國(guó)國(guó)家消防協(xié)會(huì)菱形危險(xiǎn)標(biāo)識(shí) 503
33.3 半導(dǎo)體制程中所使用的工藝化學(xué)品 503
33.3.1 水基化學(xué)品 504
33.3.2 溶劑 505
33.3.3 化學(xué)機(jī)械平坦化漿料 506
33.4 工藝化學(xué)品和漿料的常規(guī)處理方法 506
33.5 物流運(yùn)輸 508
33.6 分析驗(yàn)證 508
33.7 廢棄物處理 509
33.8 結(jié)論 509
33.9 致謝 509
33.10 參考文獻(xiàn) 509
33.11 擴(kuò)展閱讀 509
第34章 過濾 511
34.1 化學(xué)品過濾 511
34.1.1 化學(xué)品過濾：過濾器構(gòu)造 511
34.1.2 化學(xué)品過濾：效果 513
34.1.3 化學(xué)品過濾：使用注意事項(xiàng) 515
34.2 超純水過濾 515
34.3 光刻過濾 516
34.4 化學(xué)機(jī)械拋光過濾 517
34.5 氣體過濾 518
34.5.1 氣體過濾：過濾器構(gòu)造 518
34.5.2 氣體過濾：效果 519
34.6 過濾作為缺陷分析工具的應(yīng)用 521
34.7 參考文獻(xiàn) 522
第35章 化學(xué)品和研磨液處理系統(tǒng) 523
35.1 引言 523
35.2 重要條款 524
35.3 化學(xué)品和研磨液處理系統(tǒng)的歷史 524
35.3.1 成本 524
35.3.2 安全 524
35.3.3 純度 524
35.3.4 重復(fù)性 524
35.4 化學(xué)品和研磨液處理設(shè)備 525
35.4.1 高純度化學(xué)品分配系統(tǒng) 525
35.4.2 化學(xué)混合系統(tǒng) 529
35.4.3 研磨液系統(tǒng) 531
35.5 系統(tǒng)純度 533
35.5.1 離子污染 533
35.5.2 顆粒污染 534
35.5.3 污染源 534
35.6 結(jié)論 534
35.7 致謝 535
35.8 參考文獻(xiàn) 535
第六部分 操作、設(shè)備與設(shè)施
第36章 良率管理 538
36.1 引言 538
36.1.1 良率管理 538
36.1.2 良率部門的角色 538
36.2 良率管理的基本原則 538
36.2.1 定義產(chǎn)量、履行測(cè)試 538
36.2.2 系統(tǒng)良率、隨機(jī)良率 540
36.2.3 缺陷和良率：良率模型 541
36.2.4 可變性：參數(shù)化良率損失 541
36.2.5 良率和可靠性 541
36.3 方法：缺陷、數(shù)據(jù)挖掘和增強(qiáng) 542
36.3.1 缺陷控制 542
36.3.2 數(shù)據(jù)挖掘 542
36.3.3 機(jī)臺(tái)和反應(yīng)倉(cāng)特征 543
36.3.4 實(shí)驗(yàn)設(shè)計(jì)：分批次 543
36.3.5 工藝變更審查委員會(huì) 543
36.3.6 偏差預(yù)防 543
36.3.7 偏差控制 544
36.4 軟件 544
36.4.1 MES、SPC和 APC 軟件 544
36.4.2 良率管理軟件 544
36.5 結(jié)論和展望 545
36.6 參考文獻(xiàn) 545
36.7 擴(kuò)展閱讀 545
第37章 計(jì)算機(jī)集成制造和工廠自動(dòng)化 547
37.1 引言 547
37.1.1 工廠自動(dòng)化 547
37.1.2 工廠自動(dòng)化的驅(qū)動(dòng)因素 547
37.2 半導(dǎo)體工廠的軟件 548
37.2.1 工廠控制軟件 548
37.2.2 質(zhì)量控制軟件 549
37.3 半導(dǎo)體自動(dòng)物料搬運(yùn)系統(tǒng) 550
37.3.1 晶圓盒 550
37.3.2 運(yùn)輸系統(tǒng) 551
37.3.3 存儲(chǔ)系統(tǒng) 552
37.4 AMHS的設(shè)計(jì) 552
37.4.1 仿真 552
37.4.2 工藝設(shè)備布局方法論 552
37.4.3 AMHS布局方法論 554
37.5 業(yè)務(wù)考慮 555
37.5.1 性能需求 555
37.5.2 擁有成本 556
37.6 展望 556
37.7 擴(kuò)展閱讀 557
第38章 制造執(zhí)行系統(tǒng)(MES)基礎(chǔ) 558
38.1 制造執(zhí)行系統(tǒng)(MES)的角色和作用 558
38.2 半導(dǎo)體行業(yè)MES的演化 559
38.3 MES的范圍和功能 560
38.3.1 MES核心和平臺(tái) 561
38.3.2 MES 功能模塊 562
38.4 現(xiàn)代MES特征與基礎(chǔ) 565
38.4.1 性能 566
38.4.2 可伸縮性 566
38.4.3 可擴(kuò)展性 566
38.4.4 模塊化 566
38.4.5 邏輯分散化 566
38.4.6 現(xiàn)代技術(shù) 567
38.4.7 集成 567
38.4.8 這些特征的重要性 568
38.5 MES項(xiàng)目的考慮因素 569
38.5.1 未開發(fā)地區(qū) 569
38.5.2 取代現(xiàn)有的MES 569
38.5.3 無紙化 569
38.5.4 能力和伙伴 570
38.5.5 商業(yè)案例 570
38.6 擴(kuò)展閱讀 570
第39章 先進(jìn)工藝控制 572
39.1 引言 572
39.2 統(tǒng)計(jì)過程控制(SPC) 572
39.2.1 R2R控制 573
39.2.2 R2R控制模式的注意事項(xiàng) 574
39.3 故障檢測(cè)和分類 576
39.4 虛擬度量 577
39.5 展望 578
39.6 參考文獻(xiàn) 579
第40章 空氣分子污染 581
40.1 概述空氣分子污染的化學(xué)污染與擴(kuò)散 581
40.2 AMC分類與效應(yīng) 581
40.2.1 AMC分類 582
40.2.2 AMC效應(yīng) 584
40.3 AMC控制注意事項(xiàng) 584
40.3.1 AMC控制系統(tǒng)概述 585
40.4 實(shí)施AMC控制 586
40.4.1 AMC最佳控制的三步方法 586
40.5 氣相空氣過濾原理 586
40.5.1 吸附 586
40.5.2 化學(xué)吸附 587
40.6 干洗空氣過濾介質(zhì) 588
40.6.1 吸附劑/化學(xué)吸附劑 588
40.6.2 吸附劑裝填非織造布 588
40.6.3 珠狀活性炭 590
40.6.4 離子交換器 590
40.6.5 擠壓碳復(fù)合材料 591
40.6.6 黏合介質(zhì)面板 591
40.7 化學(xué)過濾設(shè)備設(shè)計(jì) 593
40.7.1 化學(xué)過濾器 593
40.7.2 化學(xué)過濾設(shè)備 593
40.8 AMC監(jiān)控 594
40.8.1 沖擊器和吸附管 595
40.8.2 反應(yīng)性監(jiān)測(cè) 595
40.9 AMC控制應(yīng)用領(lǐng)域 597
40.9.1 HVAC系統(tǒng)設(shè)計(jì) 597
40.9.2 AMC應(yīng)用領(lǐng)域 598
40.10 AMC控制規(guī)范和標(biāo)準(zhǔn) 599
40.10.1 SEMI標(biāo)準(zhǔn) 599
40.10.2 國(guó)際半導(dǎo)體技術(shù)路線圖 599
40.10.3 ISO標(biāo)準(zhǔn)14644-8 604
40.11 規(guī)定AMC控制系統(tǒng) 604
40.11.1 去除效率規(guī)范 605
40.11.2 污染物限值規(guī)范 605
40.11.3 使用壽命規(guī)范 606
40.11.4 標(biāo)準(zhǔn)化實(shí)驗(yàn)結(jié)果規(guī)范 607
40.12 最終考慮 607
40.13 結(jié)論 608
40.14 參考文獻(xiàn) 609
40.15 附錄：縮寫詞 611
第41章 潔凈室環(huán)境中的ESD控制 612
41.1 半導(dǎo)體潔凈室中的靜電電荷 612
41.2 潔凈室電荷引起的問題 612
41.2.1 污染 612
41.2.2 靜電損傷 614
41.2.3 電磁干擾和晶圓處理錯(cuò)誤 616
41.3 靜電電荷的產(chǎn)生 618
41.4 絕緣體與導(dǎo)體 619
41.4.1 導(dǎo)電材料 619
41.4.2 耗散材料 619
41.4.3 絕緣材料 619
41.5 潔凈室靜電管理 619
41.5.1 一般原則 619
41.5.2 導(dǎo)體和絕緣體 621
41.5.3 接地 621
41.5.4 空氣離子化 622
41.6 空氣離子化對(duì)靜電電荷的控制 622
41.6.1 電暈電離 622
41.6.2 光電電離 624
41.6.3 α電離 624
41.7 靜電測(cè)量 625
41.7.1 電場(chǎng)的測(cè)量 625
41.7.2 離子發(fā)生器性能的測(cè)量 625
41.7.3 ESD感應(yīng)EMI的測(cè)量 625
41.8 空氣離子發(fā)生器的應(yīng)用 626
41.8.1 常見的應(yīng)用 626
41.8.2 劇烈放電的應(yīng)用 627
41.9 結(jié)論 628
41.10 參考文獻(xiàn) 628
第42章 真空系統(tǒng) 630
42.1 引言 630
42.2 真空泵 630
42.2.1 泵基礎(chǔ) 630
42.2.2 泵送速度和增強(qiáng)器 630
42.2.3 泵與應(yīng)用的匹配 630
42.2.4 渦輪分子泵 631
42.2.5 低溫泵 631
42.2.6 干式泵 632
42.3 使用點(diǎn)減排 633
42.3.1 減排基礎(chǔ) 633
42.3.2 將減排技術(shù)與應(yīng)用相匹配 633
42.3.3 濕法洗滌器 634
42.3.4 濾筒技術(shù) 634
42.3.5 濕-熱減排 635
42.3.6 等離子體減排 635
42.3.7 燃燒減排 636
42.3.8 氣體回收 637
42.4 結(jié)論和展望 637
42.5 致謝 638
42.6 參考文獻(xiàn) 638
42.7 擴(kuò)展閱讀 638
第43章 射頻等離子體工藝的控制 639
43.1 引言 639
43.2 等離子體產(chǎn)生和工藝控制基礎(chǔ) 639
43.2.1 電感耦合等離子體源 639
43.2.2 電子回旋共振等離子體源 641
43.2.3 電容耦合等離子體源 641
43.2.4 磁等離子體源 643
43.2.5 電感耦合等離子體與電容耦合等離子體 644
43.3 工藝控制和診斷 644
43.3.1 等離子體室的射頻計(jì)量 647
43.3.2 朗繆爾探針 648
43.3.3 光發(fā)射光譜法 649
43.3.4 能量分析儀 649
43.3.5 電弧檢測(cè)和電弧緩解 650
43.4 先進(jìn)的等離子體工藝控制 651
43.4.1 雙頻驅(qū)動(dòng)等離子體源 652
43.4.2 脈沖調(diào)制RF等離子體源 652
43.4.3 調(diào)整離子能量分布函數(shù)的方法 654
43.4.4 射頻脈沖源阻抗調(diào)諧 655
43.4.5 控制均勻性效應(yīng)的射頻機(jī)制 657
43.5 干法刻蝕工藝的特性 658
43.6 結(jié)論和展望 659
43.7 參考文獻(xiàn) 660
第44章 集成電路制造設(shè)備部件清洗技術(shù)：基礎(chǔ)與應(yīng)用 665
44.1 外包部件清洗的歷史觀 665
44.1.1 引言 666
44.2 過去、現(xiàn)在和將來的技術(shù)/應(yīng)用 666
44.3 設(shè)備部件清洗技術(shù)基礎(chǔ)和應(yīng)用 667
44.3.1 按晶圓廠模塊劃分的部件清洗工藝和技術(shù) 668
44.3.2 污染源 670
44.4 部件表面處理技術(shù)及其對(duì)工藝性能的影響 675
44.4.1 雙絲電弧噴涂在PVD/金屬濺射中的應(yīng)用 675
44.4.2 TWAS熱噴涂工藝 675
44.4.3 熱噴涂在刻蝕工藝中的應(yīng)用 676
44.5 等離子噴涂工藝 676
44.6 結(jié)論 676
44.7 致謝 676
44.8 參考文獻(xiàn) 677
第45章 因危害增長(zhǎng)及嚴(yán)格監(jiān)管而使設(shè)備設(shè)計(jì)面臨的挑戰(zhàn) 678
45.1 引言：“產(chǎn)品合規(guī)性之謎” 678
45.1.1 重中之重：先進(jìn)的設(shè)備設(shè)計(jì) 679
45.1.2 當(dāng)今的評(píng)價(jià)方法：虛假的安全感 680
45.1.3 工程部技能：成功的先決條件 680
45.2 產(chǎn)品合規(guī)性的基礎(chǔ)：“必須做什么?” 681
45.2.1 “合理預(yù)見的誤用”造成的危害 681
45.2.2 你的設(shè)備究竟有多少危害 682
45.2.3 各種識(shí)別危害的風(fēng)險(xiǎn)評(píng)估 683
45.2.4 國(guó)際標(biāo)準(zhǔn)提供“經(jīng)驗(yàn)教訓(xùn)” 684
45.3 工程部建議:“我們?nèi)绾巫龅酶��?” 686
45.3.1 他們?cè)趯W(xué)校需要教什么:“一門新的工程課程” 686
45.3.2 需要更好的MoC協(xié)議 687
45.3.3 在維護(hù)/服務(wù)任務(wù)中更多地關(guān)注設(shè)計(jì) 688
45.3.4 更多地關(guān)注記錄風(fēng)險(xiǎn)評(píng)估 689
45.3.5 高級(jí)工程設(shè)計(jì)程序 690
45.4 結(jié)論：“解謎” 692
45.4.1 維護(hù)/服務(wù)任務(wù)的功能安全工程設(shè)計(jì) 692
45.4.2 先進(jìn)的工程設(shè)計(jì)程序可以幫助縮小知識(shí)差距 693
45.4.3 記錄性能指標(biāo)的新安全性 693
45.5 參考文獻(xiàn) 694
第46章 潔凈室設(shè)計(jì)和建造 699
46.1 引言 699
46.2 潔凈室標(biāo)準(zhǔn)和分類 699
46.3 潔凈室的種類 701
46.4 氣流布局和模式 703
46.4.1 單向氣流 703
46.4.2 湍流氣流 704
46.5 換氣 704
46.6 潔凈室要素 705
46.7 天花板系統(tǒng) 706
46.8 墻壁系統(tǒng) 706
46.9 地板系統(tǒng) 706
46.10 環(huán)境要求 706
46.10.1 排氣系統(tǒng) 707
46.10.2 補(bǔ)充空氣系統(tǒng) 707
46.10.3 再循環(huán)空氣系統(tǒng) 707
46.10.4 溫度控制 708
46.10.5 濕度控制 708
46.10.6 氣壓差 708
46.11 工藝污染控制 709
46.11.1 空氣過濾 709
46.11.2 預(yù)防 709
46.11.3 隔離 709
46.11.4 清除 709
46.12 振動(dòng)和噪聲控制 709
46.13 磁通量和電磁通量 710
46.14 空氣和表面的靜電荷 710
46.15 生命安全 711
46.16 計(jì)算流體動(dòng)力學(xué)(CFD) 711
46.17 潔凈室設(shè)計(jì)和施工 712
46.17.1 微環(huán)境舞廳式布局技術(shù)說明(示例) 712
46.17.2 氣流系統(tǒng)技術(shù)說明(示例) 713
46.17.3 天花板網(wǎng)格技術(shù)說明(示例) 715
46.17.4 潔凈室照明技術(shù)說明(示例) 716
46.17.5 潔凈室墻、窗、門和地板(示例) 716
46.17.6 最終調(diào)整和認(rèn)證測(cè)試(示例) 718
46.17.7 潔凈室施工協(xié)議(示例) 721
46.18 擴(kuò)展閱讀 726
46.19 專業(yè)組織 727
第47章 振動(dòng)與噪聲設(shè)計(jì) 728
47.1 引言 728
47.1.1 振動(dòng)和噪聲源概述 728
47.1.2 振動(dòng)和噪聲敏感區(qū)域與設(shè)備 728
47.2 測(cè)量方法和準(zhǔn)則 729
47.2.1 測(cè)量方法 729
47.2.2 準(zhǔn)則——基于設(shè)備的準(zhǔn)則和一般準(zhǔn)則 731
47.2.3 準(zhǔn)則——通用振動(dòng)準(zhǔn)則 731
47.2.4 準(zhǔn)則——地板動(dòng)力剛度要求 732
47.2.5 其他形式的準(zhǔn)則 733
47.2.6 廣義和工具噪聲準(zhǔn)則 733
47.3 振動(dòng)和噪聲源 733
47.3.1 現(xiàn)場(chǎng)振動(dòng)源 733
47.3.2 室內(nèi)振動(dòng)源 734
47.3.3 噪聲源 735
47.4 地基和結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì) 735
47.4.1 土壤和地基設(shè)計(jì)(與環(huán)境和當(dāng)?shù)刭Y源有關(guān)) 735
47.4.2 工藝層 735
47.5 機(jī)械、電氣、管道(MEP)設(shè)計(jì)中的振動(dòng)和噪聲控制 739
47.5.1 MEP系統(tǒng)布局 739
47.5.2 空氣循環(huán)系統(tǒng) 740
47.5.3 其他機(jī)械設(shè)備(空氣處理器、壓縮機(jī)、液壓泵、真空泵、冷卻塔等)
及一般注意事項(xiàng) 741
47.5.4 管道和管路系統(tǒng) 741
47.5.5 中央公用設(shè)施建筑、輔助建筑及設(shè)備堆放場(chǎng) 742
47.5.6 電氣設(shè)備(柴油發(fā)電機(jī)、CPS和UPS系統(tǒng)、變壓器) 742
47.5.7 機(jī)械動(dòng)態(tài)平衡要求 743
47.5.8 隔振硬件 743
47.6 噪聲設(shè)計(jì) 746
47.6.1 室內(nèi)噪聲設(shè)計(jì) 746
47.6.2 機(jī)械室內(nèi)外噪聲設(shè)計(jì) 747
47.7 生產(chǎn)工具連接 748
47.7.1 工具布局 748
47.7.2 預(yù)置工具架設(shè)計(jì) 748
47.7.3 主動(dòng)工具架設(shè)計(jì) 749
47.7.4 連接設(shè)備的振動(dòng)和噪聲控制 749
47.8 設(shè)備振動(dòng)測(cè)量的目的和時(shí)間 749
47.9 成熟的振動(dòng)和噪聲環(huán)境 750
47.10 未來趨勢(shì)及特殊情況 750
47.10.1 微電子設(shè)施 750
47.10.2 平板顯示設(shè)備(LCD-TFT) 750
47.10.3 納米技術(shù)和其他先進(jìn)的物理設(shè)備 750
47.11 致謝 751
47.12 參考文獻(xiàn) 751