本書全面系統(tǒng)地介紹了半導體薄膜的各種制備技術及其相關的物理基礎，全書共分十一章。第一章概述了真空技術，第二至第八章分別介紹了蒸鍍、濺射、化學氣相沉積、脈沖激光沉積、分子束外延、液相外延、濕化學合成等各種半導體薄膜的沉積技術，第九章介紹了半導體超晶格、量子阱的基本概念和理論，第十章介紹了典型薄膜半導體器件的制備技術，第十一章介紹了溶液法技術及發(fā)光器件的制備。
本書文字敘述上力求做到深入淺出，內容上深度和寬度相結合，理論和實踐相結合，以半導體薄膜技術為重點，結合半導體材料和器件的性能介紹，同時還介紹了半導體薄膜技術與物理領域的新概念、新進展、新成果和新技術。本書具有內容翔實、概念清楚、圖文并茂的特點。
本書讀者對象廣泛，可作為高等院校材料、物理、電子、化學等學科的研究生或高年級本科生的半導體薄膜技術課程的教材，也可作為從事半導體材料、薄膜材料、光電器件等領域的科研人員、工程技術人員的參考書。
葉志鎮(zhèn)，男，1955年5月生于浙江溫州。1987年獲浙江大學光儀系工學博士學位；畢業(yè)后留校工作，1990—1992年留學美國麻省理工學院(MIT)；1994年晉升為教授；1996年選為博導�，F(xiàn)為浙江大學材料科學與工程學系系主任。
1988年進入浙江大學材料系，在硅材料國家重點實驗室一直從事半導體薄膜教學科研工作。主要研究：半導體薄膜制備、物性調控與光電應用�，F(xiàn)兼任中國電子學會理事，中國能源學會常務理事，中國電子材料委員會副主任，《材料科學與工程學報》主編，J．Mater．Sci．&Tectl．和《半導體學報》編委等。
在國內率先開展氧化鋅薄膜p型摻雜研究，開發(fā)出具有自主知識產權的p型摻雜系列核心技術，率先研制了氧化鋅LED原型器件并實現(xiàn)室溫電致發(fā)光；發(fā)展了組分調控氧化鋅薄膜光電性能的技術，透明導電薄膜的實際應用效果良好；自主發(fā)展了高真空CVD薄膜技術并在全國推廣應用；研制了一系列硅基薄膜材料與器件。負責的Zn()研究工作被國家自然科學基金委評為“光電功能材料重大計劃”5個亮點成果之一。先后承擔國家“973”課題2項、國家自然基金10項(重點項目3項)、省部級科研項目40多項。“氧化鋅基材料生長、p型摻雜與室溫電致發(fā)光研究”獲2007年國家自然科學二等獎，此外在薄膜制備與光電應用方面還獲得浙江省科技一等獎3項，省部級科技二等獎3項。授權國家發(fā)明專利60多項。出版學術著作2本，參編3本。發(fā)表SCI收錄論文400余篇，其中Adv．Mater．，NanoLett．，JACS，APL等國際著名期刊論文100余篇；論文被他引56()O余次，其中sCI他引4000余次。國際大會報告40余次，邀請報告20余次。
1994一年被評為國家重點實驗室全國先進工作者并獲“金牛獎”；1995年選為浙江省首批“中青年學術帶頭人”；1996年人選教育部“跨世紀優(yōu)秀人才”；1997年入選國家“百千萬人才工程”；1997年享受國務院特殊津貼。2006年被聘為浙江大學首批求是特聘教授；2007年選為浙江省突出貢獻中青年專家；2008年被評為浙江省特級專家，獲浙江省優(yōu)秀回國人員稱號；2008年、2010年獲中國百篇優(yōu)秀博士論文提名獎指導教師；2012年評為浙江大學“三育人”標兵、浙江省“三育人”先進個人、全國寶鋼優(yōu)秀教師；2013年評為浙江省師德先進個人。
第1章 真空技術
§1.1 真空的基本概念
1.1.1 真空的定義
1.1.2 真空度單位
1.1.3 真空區(qū)域劃分
§1.2 真空的獲得
§1.3 真空度測量
1.3.1 熱傳導真空計
1.3.2 熱陰極電離真空計
1.3.3 冷陰極電離真空計
§1.4 真空度對薄膜工藝的影響
參考文獻
第2章 蒸發(fā)技術
§2.1 發(fā)展歷史與簡介
§2.2 蒸發(fā)的種類
2.2.1 電阻熱蒸發(fā)
2.2.2 電子束蒸發(fā)
2.2.3 高頻感應蒸發(fā)
2.2.4 激光束蒸發(fā)
2.2.5 反應蒸發(fā)
§2.3 蒸發(fā)的應用實例
2.3.1 Cu(In，Ga)Se2薄膜
2.3.2 ITO薄膜
參考文獻
第3章 濺射技術
§3.1 濺射基本原理
§3.2 濺射主要參數(shù)
3.2.1 濺射閾和濺射產額
3.2.2 濺射粒子的能量和速度
3.2.3 濺射速率和淀積速率
§3.3 濺射裝置及工藝
3.3.1 陰極濺射
3.3.2 三極濺射和四極濺射
3.3.3 射頻濺射
3.3.4 磁控濺射
3.3.5 反應濺射
§3.4 離子成膜技術
3.4.1 離子鍍成膜
3.4.2 離子束成膜
§3.5 濺射技術的應用
3.5.1 濺射生長過程
3.5.2 濺射生長Zn()薄膜的性能
參考文獻
第4章 化學氣相沉積
§4.1 概述
§4.2 硅化學氣相沉積
4.2.1 CVD反應類型
4.2.2 CVD熱力學分析
4.2.3 CVD動力學分析
4.2.4 a；同硅源的外延生長
4.2.5 成核
4.2.6 摻雜
4.2.7 外延層質量
4.2.8 生長工藝
§4.3 CVD技術的種類
4.3.1 常壓CVD
4.3.2 低壓CVD
4.3.3 超高真空CVD
§4.4 能量增強CVD技術
4.4.1 等離子增強CVD
4.4.2 光增強CVD
§4.5 鹵素輸運法
4.5.1 氯化物法
4.5.2 氫化物法
§4.6 MOCVD技術
4.6.1 MOCVD簡介
4.6.2 MOCVD生長GaAs
4.6.3 MOCVD生長GaN
4.6.4 MOCVD生長ZnO
§4.7 特色CVD技術
4.7.1 選擇外延CVD技術
4.7.2 原子層外延
參考文獻
第5章 脈沖激光沉積
§5.1 脈沖激光沉積概述
§5.2 PLD的基本原理
5.2.1 激光與靶的相互作用
5.2.2 燒蝕物的傳輸
5.2.3 燒蝕粒子在襯底上的沉積
§5.3 顆粒物的抑制
§5.4 PLD在Ⅱ一Ⅵ族化合物薄膜中的應用
5.4.1 ZnO薄膜的PLD生長
5.4.2 其他Ⅱ一Ⅵ族化合物的PLD生長
參考文獻
第6章 分子束外延
§6.1 引 言
§6.2 分子束外延的原理和特點
§6.3 外延生長設備
§6.4 分子束外延生長硅
6.4.1 表面制備
6.4.2 外延生長
6.4.3 摻雜
6.4.4 外延膜的質量診斷
§6.5 分子束外延生長Ⅲ-V族化合物半導體材料和結構
6.5.1 MBE生長GaAs
6.5.2 MBE生長InAs／GaAs
6.5.3 MBE生長GaN
§6.6 分子束外延生長Ⅱ一Ⅵ族化合物半導體材料和結構
6.6.1 }tgCdTe材料
6.6.2 CdTe／Si的外延生長
6.6.3 HgCdTe／Si的外延生長
6.6.4 ZnSe、ZnTe
6.6.5 ZnO薄膜
§6.7 分子束外延生長其他半導體材料和結構
6.7.1 SiC材料
6.7.2 生長小尺寸Ge／Si量子點
6.7.3 生長有機半導體薄膜
參考文獻
第7章 液相外延
§7.1 液相外延生長的原理
7.1.1 液相外延基本概況
7.1.2 硅液相外延生長的原理
§7.2 液相外延生長方法和設備
§7.3 液相外延生長的特點
§7.4 液相外延的應用實例
7.4.1 硅材料
7.4.2 Ⅲ-V族化合物半導體材料
7.4.3 碲鎘汞材料
7.4.4 SiC材料
參考文獻
第8章 濕化學制備方法
§8.1 溶膠一凝膠技術
8.1.1 Sol-Gel的生長機制
8.1.2 Sol-Gel的工藝過程
8.1.3 Sol-Gel合成TiO2薄膜
8.1.4 Sol-Gel的優(yōu)點和缺點
§8.2 噴霧熱分解技術
8.2.1 噴霧熱分解的種類
8.2.2 噴霧熱分解的生長過程
8.2.3 噴霧熱分解的應用介紹
8.2.4 噴霧熱分解制備ZnO薄膜
§8.3 液相電沉積技術
8.3.1 電沉積簡介
8.3.2 電沉積制備類金剛石薄膜
參考文獻
第9章 半導體超晶格和量子阱
§9.1 引 言
§9.2 半導體超晶格、量子阱的概念和分類
9.2.1 組分超晶格
9.2.2 摻雜超晶格
9.2.3 應變超晶格
9.2.4 調制摻雜超晶格
§9.3 半導體超晶格、量子阱的量子特性
9.3.1 量子約束效應
9.3.2 量子隧穿和超晶格微帶效應
9.3.3 共振隧穿效應
§9.4 半導體超晶格、量子阱的結構和器件應用介紹
9.4.1 GaAs／AlxGa1-xAs體系
9.4.2 ZnSe基異質結、量子阱結構
參考文獻
第lO章 半導體器件制備技術
§10.1 襯底材料的清洗
§10.2 發(fā)光二極管
10.2.1 GaN基LED
10.2.2 ZnO基LED
10.2.3 白光LED
§10.3 薄膜晶體管
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