本書是作者長期從事直拉硅單晶生長過程數(shù)值模擬與工藝優(yōu)化研究的總結(jié)。書中在概述硅單晶發(fā)展前景、主要生長設(shè)備及關(guān)鍵工藝的基礎(chǔ)上，介紹直拉硅單晶生長過程數(shù)值模擬方法、工藝流程與參數(shù)設(shè)置、熱系統(tǒng)設(shè)計與制造等方面的內(nèi)容；從介觀層面闡述多物理場耦合作用對晶體生長的影響，并給出關(guān)鍵工藝參數(shù)選取方法；提出一系列結(jié)合變量檢測、智能優(yōu)化及先進控制技術(shù)的硅單晶工藝研究理論和工程實現(xiàn)方法。本書在理論和實驗兩方面均進行詳盡闡述并給出部分工程實驗結(jié)果，具有問題驅(qū)動、理論牽引、內(nèi)容具體、結(jié)合實際、指導(dǎo)性強等特點。

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