本書共6章，主要介紹了硅基應(yīng)變半導(dǎo)體物理的相關(guān)內(nèi)容，重點討論了如何建立硅基應(yīng)變材料能帶結(jié)構(gòu)與載流子遷移率模型，并分析了應(yīng)變對硅基應(yīng)變材料能帶結(jié)構(gòu)與載流子遷移率的影響。通過本書的學(xué)習(xí)，可為讀者以后學(xué)習(xí)應(yīng)變器件物理奠定重要的理論基礎(chǔ)。

本書可作為高等院校微電子學(xué)與固體電子學(xué)專業(yè)研究生的參考書，也可供其他相關(guān)專業(yè)的學(xué)生參考。