本書共十六章，分上下兩冊(cè)出版。上冊(cè)主要涉及一些比較基本的內(nèi)容，包括結(jié)構(gòu)和結(jié)合性質(zhì)，半導(dǎo)體中的電子狀態(tài)，載流子的平衡統(tǒng)計(jì)，過(guò)剩載流子，接觸現(xiàn)象，半導(dǎo)體表面層和MIS結(jié)構(gòu)，微結(jié)構(gòu)和超晶格，半導(dǎo)體的光吸收，半導(dǎo)體的光發(fā)射等十章。下冊(cè)則收入一些專題，包括載流子的散射，熱現(xiàn)象，復(fù)雜能帶輸運(yùn)，強(qiáng)電場(chǎng)下的熱電子，強(qiáng)磁場(chǎng)和磁共振現(xiàn)象，非晶態(tài)半導(dǎo)體等六章。本書可供已學(xué)過(guò)固體物理的大學(xué)生、研究生以及有關(guān)方面的研究人員閱讀、參考。
《半導(dǎo)體物理學(xué)》可供已學(xué)過(guò)固體物理的大學(xué)生、研究生以及有關(guān)方面的研究人員閱讀、參考。《半導(dǎo)體物理學(xué)》（上）是其上冊(cè)！
大約在去年這個(gè)時(shí)候，高等教育出版社的編輯給我打來(lái)電話，建議再版我二十多年前的《半導(dǎo)體物理學(xué)》。我感到為難，因?yàn)橛捎诜N種原因，我已有很多年未接觸過(guò)這個(gè)領(lǐng)域了，我不想讓這本書按二十多年前的原貌和讀者見(jiàn)面。編輯同志從多方面說(shuō)明了應(yīng)該再版的理由，我還是被說(shuō)服了。這不能不說(shuō)到寫這本書的初衷。當(dāng)“科學(xué)的春天”來(lái)到的時(shí)候，我感到我們這一代能做的最有效的工作首先莫過(guò)于為后來(lái)者當(dāng)個(gè)鋪墊，或者說(shuō)就是當(dāng)個(gè)“肩膀”。對(duì)此我是十分認(rèn)真的。這些年來(lái)，我還是真實(shí)地感到了這本書確實(shí)起到了一定的鋪墊作用。這是讓我一直感到欣慰的事。既然我現(xiàn)
重要符號(hào)表
第1章 晶格結(jié)構(gòu)和結(jié)合性質(zhì)
1.1 晶格的周期性
1.2 常見(jiàn)半導(dǎo)體的晶格結(jié)構(gòu)
1.3 結(jié)合性質(zhì)
1.4 晶格缺陷
1.5 半導(dǎo)體表面的再構(gòu)
第1章參考文獻(xiàn)
第2章 半導(dǎo)體中的電子狀態(tài)
2.1 晶體中的能帶
2.2 晶體中電子的運(yùn)動(dòng) 有效質(zhì)量和有效質(zhì)量近似
2.3 導(dǎo)電電子和空穴
2.4 常見(jiàn)半導(dǎo)體的能帶結(jié)構(gòu)
2.5 雜質(zhì)和缺陷能級(jí)
2.6 局域態(tài)的晶格弛豫
2.7 重?fù)诫s半導(dǎo)體
2.8 表面態(tài)
第2章參考文獻(xiàn)
第3章 電子和空穴的統(tǒng)計(jì)平衡分布
3.1 費(fèi)米分布函數(shù)
3.2 栽流子濃度對(duì)費(fèi)米能的依賴關(guān)系
3.3 本征載流子濃度
3.4 含單一能級(jí)雜質(zhì)情形的統(tǒng)計(jì)
3.5 補(bǔ)償及多重能級(jí)情形的統(tǒng)計(jì)
3.6 簡(jiǎn)并情形的統(tǒng)計(jì)
3.7 化學(xué)勢(shì)和費(fèi)米能
3.8 寬禁帶半導(dǎo)體的摻雜問(wèn)題和自補(bǔ)償
附錄3.1 若干半導(dǎo)體的等效態(tài)密度(300K)
第3章參考文獻(xiàn)
第4章 電荷輸運(yùn)現(xiàn)象
4.1 電導(dǎo)和霍爾效應(yīng)的分析
4.2 載流子的散射
4.3 電導(dǎo)統(tǒng)計(jì)理論
4.4 霍爾效應(yīng)的統(tǒng)計(jì)理論
4.5 磁阻
4.6 強(qiáng)電場(chǎng)下的載流子輸運(yùn)
4.7 漂移速度過(guò)沖和近彈道輸運(yùn)
附錄4.1 微擾勢(shì)引起的狀態(tài)之間的躍遷
附錄4.2 玻爾茲曼積分一微分方程和弛豫時(shí)間的存在性
附錄4.3 電阻率和雜質(zhì)濃度的對(duì)應(yīng)關(guān)系
第4章參考文獻(xiàn)
第5章 過(guò)剩載流子
5.1 過(guò)剩栽流子及其產(chǎn)生和復(fù)合
5.2 過(guò)剩載流子的擴(kuò)散
5.3 過(guò)剩載流子的漂移和擴(kuò)散
5.4 雙極擴(kuò)散和雙極漂移
5.5 丹倍效應(yīng)和光磁效應(yīng)
5.6 表面復(fù)合對(duì)壽命的影響
5.7 復(fù)合機(jī)制和直接復(fù)合
5.8 間接復(fù)合
5.9 陷阱效應(yīng)
5.10 空間電荷的弛豫
第5章參考文獻(xiàn)
第6章 接觸現(xiàn)象
6.1 同質(zhì)和異質(zhì)pn結(jié)勢(shì)壘
6.2 金屬-半導(dǎo)體接觸：肖特基勢(shì)壘
6.3 pn結(jié)電流：注入電流 勢(shì)壘區(qū)產(chǎn)生復(fù)合電流
6.4 肖特基勢(shì)壘電流 尖峰發(fā)射
6.5 勢(shì)壘電容和擴(kuò)散電容
6.6 隧道穿透勢(shì)壘——隧道電流
6.7 光生伏特效應(yīng)
6.8 雪崩擊穿和齊納擊穿
第6章 參考文獻(xiàn)
第7章 半導(dǎo)體表面層和MIS結(jié)構(gòu)
7.1 半導(dǎo)體表面電荷層
7.2 MIS電容
7.3 界面態(tài)及其電容效應(yīng)
7.4 場(chǎng)效應(yīng)和表面電導(dǎo)
7.5 表面復(fù)合
附錄7.1 半導(dǎo)體表面電荷層電荷、表面電場(chǎng)和電容作為ys函數(shù)的一般表示式
第7章參考文獻(xiàn)
第8章 微結(jié)構(gòu)和超晶格
8.1 半導(dǎo)體中的尺寸量子化和低維電子氣
8.2 微結(jié)構(gòu)和超晶格的生長(zhǎng)和形成
8.3 二維電子氣的電荷輸運(yùn)
8.4 微結(jié)構(gòu)中垂直于界面的輸運(yùn) 共振隧穿
8.5 一維系統(tǒng)的輸運(yùn)介觀輸運(yùn)
8.6 有關(guān)量子點(diǎn)的輸運(yùn)現(xiàn)象
8.7 半導(dǎo)體超晶格
8.8 超晶格的輸運(yùn)
8.9 Rashba效應(yīng)和自旋晶體管
8.10 碳納米管
8.11 異質(zhì)結(jié)構(gòu)的帶階
8.12 晶格失配的異質(zhì)結(jié)構(gòu)
第8章參考文獻(xiàn)
第9章 半導(dǎo)體的光吸收和光反射
9.1 光的吸收和基本吸收邊
9.2 基本吸收與能帶結(jié)構(gòu)
9.3 激子和激子吸收
9.4 雜質(zhì)吸收
9.5 自由載流子吸收
9.6 晶格吸收和反射
第9章參考文獻(xiàn)
第10章 半導(dǎo)體中的發(fā)光現(xiàn)象
10.1 自發(fā)發(fā)射和受激發(fā)射
10.2 發(fā)光光譜
10.3 微結(jié)構(gòu)和超晶格的光譜現(xiàn)象
10.4 發(fā)光二極管及相關(guān)問(wèn)題
10.5 半導(dǎo)體激光器
10.6 單光子發(fā)射和量子點(diǎn)一微腔系統(tǒng)
第10章參考文獻(xiàn)
索引
重要的物理常量
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